기술의 미래로 주목받던 AI 산업에서 고대역폭 메모리(HBM) 경쟁이 더욱 치열해지고 있습니다. 삼성전자 HBM4 양산 일정을 당초 계획보다 앞당겨 2025년 하반기로 조정하며 시장 반격의 신호탄을 쏘아 올렸습니다. SK하이닉스가 이미 HBM3E와 HBM4 샘플 출하를 완료하고 시장 점유율을 빠르게 확대하는 상황에서, 삼성전자의 이번 전략적 움직임은 글로벌 AI 메모리 시장의 판도를 뒤흔들 핵심 변수로 주목받고 있습니다.
AI 반도체의 핵심 부품인 HBM 시장의 중요성은 날로 커지고 있으며, 특히 엔비디아의 AI 가속기 출시 계획에 맞춰 한국의 두 반도체 기업이 치열한 속도전을 펼치고 있습니다. 이러한 경쟁 와중에 삼성전자는 HBM3E에서 경험한 발열 및 전력 효율 문제를 귀중한 교훈으로 삼아 HBM4 개발에 있어 기술력 강화와 품질 확보에 전력을 다하고 있습니다.
오늘은 삼성전자의 HBM4 개발 현황과 양산 전략, 치열한 경쟁 상황, 그리고 미래 전망을 자세히 들여다보겠습니다.
삼성전자 HBM4 양산 일정 앞당겨… SK하이닉스와 경쟁 본격화
삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리 HBM4의 양산 시점을 애초 계획했던 2026년에서 2025년 하반기로 대폭 앞당겼습니다. 이는 SK하이닉스가 이미 HBM3E와 HBM4 샘플 출하를 마치고 시장 선점에 나선 상황에 대응하기 위한 전략적 결정으로 해석됩니다. 특히 엔비디아의 차세대 AI 가속기 출시 일정에 맞추기 위한 움직임이라는 분석이 우세합니다.
삼성전자는 올해 상반기까지 생산 준비 승인(PRA)을 마무리하고 하반기부터 본격적인 양산에 착수할 계획입니다. 이 과정에서 파운드리 사업부 인력을 메모리 사업부로 전환 배치하는 등 HBM 개발 역량 강화에 주력하고 있어, 조직 내부에서도 HBM4 개발에 전력을 다하고 있는 상황입니다.
첨단 기술로 무장한 HBM4, 성능과 효율성 대폭 개선
삼성전자의 HBM4는 10나노급 6세대 D램인 1c 공정을 적용하여 최신 미세화 메모리 기술을 구현하고 있습니다. 이는 SK하이닉스의 10나노급 5세대 1b 공정보다 한 단계 진보된 기술로, 메모리의 성능과 효율성을 상당히 개선할 것으로 기대됩니다.
특히 주목할 만한 점은 삼성전자가 파운드리 공정을 통해 HBM의 핵심 부품인 로직 다이를 정교하게 최적화하고, 고객 맞춤형 설계가 가능하다는 점입니다. 이를 통해 AI 가속기에 최적화된 맞춤형 메모리 솔루션을 제공할 수 있어 시장에서 경쟁 우위를 점할 수 있을 것으로 전망됩니다.
SK하이닉스와의 치열한 경쟁 속 삼성전자의 반격
현재 HBM 시장은 SK하이닉스가 주도권을 쥐고 있는 상황입니다. SK하이닉스는 이미 HBM3E와 HBM4 샘플 출하를 성공적으로 마무리하며 시장 점유율을 꾸준히 확대해 나가고 있으며, 특히 HBM4 12단 제품을 통해 세계 최고 수준의 속도와 용량을 자랑하며 기술력을 뚜렷이 보여주고 있습니다.
반면 삼성전자는 HBM3E에서 겪었던 발열 및 전력 효율 문제를 심각한 도전 과제로 인식하고, 이를 발판 삼아 HBM4 개발에 더욱 박차를 가하고 있습니다. 특히 로직 다이 업무를 메모리 사업부에서 파운드리 사업부로 이관하는 등 기술적 최적화에 주력하며 품질과 성능 향상에 힘쓰고 있습니다.
이러한 내부 조직 개편 과정에서 부서 간 미묘한 갈등이 있었던 것으로 전해지고 있으나, 삼성전자는 공개 모집 절차를 통해 뛰어난 전문 인력을 지속적으로 확보하며 기술 경쟁력 강화에 적극 나서고 있습니다. 이는 HBM 시장에서의 경쟁력 회복에 대한 삼성전자의 확고한 의지를 여실히 보여주는 대목입니다.
기술 초격차 달성할까? 삼성전자의 HBM4 전망
삼성전자가 HBM4 개발과 양산 준비에 성공한다면, 기존 HBM3 생산을 중단하고 새로운 전략으로 전환해 기술적 우위를 점할 수 있을 것으로 보입니다. 특히 1c 공정의 선진 기술을 바탕으로 성능과 효율성을 동시에 확보할 수 있다면, 시장에서의 경쟁력을 크게 높일 수 있을 것으로 전망됩니다.
그러나 SK하이닉스와의 기술 격차를 좁히고 시장 점유율을 회복하기 위해서는 아직 해결해야 할 과제가 많습니다. 특히 앞당겨진 양산 일정 속에서 제품의 품질과 생산 안정성을 모두 확보하는 것이 중요한 관건으로 남아있습니다.
AI 메모리 시장의 급속한 성장이 예상되는 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스 간의 경쟁은 앞으로도 치열하게 이어질 것으로 전망됩니다. 특히 삼성전자의 HBM4 양산이 성공적으로 이루어진다면, 한국 반도체 산업의 글로벌 경쟁력은 더욱 높아질 것으로 기대됩니다.
Q&A
Q1: HBM4와 기존 HBM3E의 주요 차이점은 무엇인가요?
A: HBM4는 10나노급 6세대 D램인 1c 공정을 적용해 기존 HBM3E보다 더 미세화된 공정을 사용합니다. 이를 통해 성능과 전력 효율성이 크게 개선되었으며, 특히 AI 워크로드에 최적화된 설계가 적용되었습니다. 또한 데이터 전송 속도와 메모리 용량이 증가하여 고성능 AI 연산에 더욱 적합한 특성을 가지고 있습니다.
Q2: 삼성전자가 HBM4 양산 일정을 앞당긴 이유는 무엇인가요?
A: 주요 이유는 경쟁사인 SK하이닉스의 빠른 시장 진입에 대응하기 위함입니다. SK하이닉스가 이미 HBM3E와 HBM4 샘플 출하를 완료하며 시장 점유율을 확대하는 상황에서, 삼성전자도 양산 일정을 앞당겨 경쟁력을 회복하고자 하는 전략적 결정입니다. 또한 엔비디아의 차세대 AI 가속기 출시 일정에 맞추기 위한 목적도 있습니다.
Q3: HBM4 개발에 있어 삼성전자의 강점은 무엇인가요?
A: 삼성전자의 핵심 강점은 파운드리 공정을 활용해 HBM의 핵심 부품인 로직 다이를 최적화하고, 고객 요구에 맞춘 맞춤형 설계를 제공할 수 있다는 점입니다. 또한 1c 공정이라는 앞선 기술을 바탕으로 성능과 효율성을 모두 개선할 수 있는 기술력을 보유하고 있습니다. 메모리와 파운드리 사업을 모두 운영하는 종합 반도체 기업으로서의 시너지 효과도 중요한 강점입니다.
